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營養吸收過程中高胺毒害的機理研究 NH4+外流和GMPase的活性調節高胺抑制的根尖生長 | |
 上圖：NH4+對根尖生長素報告基因DR5:GUS的影響；NH4+對分生區和伸長區NH4+flux 的影響。 NH4+是主要的氮源，不僅是活細胞必需的營養，而且是代謝過程中普遍的中間產物。然而，過量的NH4+卻對植物產生嚴重的毒害。植物根的生長對高胺很敏感，NH4+對初生根的生長是必須的，但是高胺會抑制根的生長。這種抑制作用發生的機理一直沒有得到明確的解釋。 2010年，中科院南京土壤所的施衛明等人使用非損傷微測技術結合根的分區處理系統，研究了高胺毒害的機理。發現高胺抑制初生根的生長，關鍵是抑制了細胞分裂，但是原來的細胞還可以伸長。通過DR5:GUS的突變和表達發現生長抑制不依賴生長素和乙烯的信號轉導。使用非損傷微測技術沿著初生根測定了NH4+的流速，發現提高外界NH4+濃度刺激了伸長區NH4+的大量外流，同時根的伸長也受到抑制。這種NH4+的外流在超敏感突變體vtc1-1中更顯著，在GMPase的突變體中缺乏，因此，限制跨膜的NH4+流和GMPase的功能能夠顯著降低擬南芥對NH4+毒性的反應。 這項工作為植物的銨鹽毒害提供了理論解釋，對理解營養吸收和其他非生物脅迫有非常重要的參考價值。 | |
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關鍵詞：銨鹽毒害(ammonium toxicity); 細胞伸長(cell elongation); 流速(Flux); 非損傷微測技術（SIET）
參考文獻：Li Q et al. Plant, Cell & Environment, 2010, 33: 1529-1542
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營養吸收過程中高胺毒害的機理研究
作者：旭月（北京）科技有限公司 2010-11-08T00:00 (訪問量:7439)
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